Если вам нужен маломощный усилительный элемент с максимальным током коллектора 200 мА и напряжением до 40 В, этот прибор подойдет для большинства низкочастотных и переключающих задач. Его коэффициент усиления (hFE) варьируется от 100 до 300, что делает его стабильным в каскадах предварительного усиления.
При проектировании схем учитывайте предельную рассеиваемую мощность – 625 мВт. Для стабильной работы в ключевом режиме не превышайте ток базы более 5 мА, иначе возможен перегрев. Время переключения не превышает 300 нс, что позволяет использовать его в импульсных блоках питания и генераторах.
Частотная граница в 250 МГц ограничивает применение в ВЧ-устройствах, но для аудиотрактов и цифровых интерфейсов он остается надежным выбором. Корпус TO-92 упрощает монтаж на плату, а низкий уровень шумов (<3 дБ) делает его пригодным для чувствительных усилителей.
В схемах с индуктивной нагрузкой обязательно добавляйте защитный диод параллельно катушке – это предотвратит пробой при коммутации. Для термостабильности в мощных режимах используйте резистор в цепи эмиттера.
В этой статье:
Основные свойства и варианты использования
Максимальный ток коллектора – 200 мА, напряжение между коллектором и эмиттером – 40 В. Коэффициент усиления по току (hFE) варьируется от 100 до 300, что делает устройство подходящим для слаботочных схем.
Электрические показатели
При токе 10 мА и напряжении 1 В падение на переходе база-эмиттер не превышает 0,95 В. Граничная частота – 300 МГц, что позволяет задействовать его в усилителях ВЧ-сигналов.
Типовые схемы
Ключевой режим: сопротивление базы подбирают так, чтобы ток через нагрузку не превышал 100 мА. Для управления реле добавляют защитный диод параллельно катушке.
Усилительный каскад: в режиме класса А смещение задают делителем на базе, а нагрузку подключают к коллектору через конденсатор. Коэффициент усиления регулируют резистором в цепи эмиттера.
Ключевые показатели и их роль в схемотехнике
Максимальный ток коллектора (IC) – 200 мА. Превышение этого значения приведёт к перегреву и выходу из строя. Для надёжной работы не нагружайте цепь выше 100 мА.
- Коэффициент усиления (hFE): 100–300. Чем выше значение, тем меньше ток базы требуется для управления нагрузкой. Разброс велик – проектируйте схемы с запасом.
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 0.2 В при IC = 10 мА. В ключевом режиме выбирайте резисторы так, чтобы падение напряжения было минимальным.
- Предельное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 40 В. Не используйте в цепях с импульсными выбросами выше 30 В без защиты.
Частотная граница (fT) – 300 МГц. Подходит для усилителей НЧ и СЧ, но в ВЧ-каскадах возможны искажения. Для сигналов выше 10 МЧ используйте модели с fT от 1 ГГц.
- При расчёте усилителя: учитывайте зависимость hFE от температуры. При +25°C коэффициент может быть 200, а при -40°C упадёт до 50.
- В импульсных схемах: контролируйте время переключения (ton = 35 нс, toff = 50 нс). Для работы на частотах свыше 1 МГц добавьте ускоряющий конденсатор параллельно резистору базы.
Типовые схемы включения в усилителях и ключевых режимах
Для построения усилителя с общим эмиттером используйте сопротивление базы 10–100 кОм, коллектора 1–10 кОм и эмиттера 100–1000 Ом. Напряжение питания – 5–15 В. Коэффициент усиления по напряжению достигает 100–300 при токе коллектора 1–10 мА.
В ключевом режиме подключайте нагрузку к коллектору через резистор 220–1000 Ом. Для управления базой применяйте резистор 1–10 кОм. Переключает ток до 200 мА при напряжении насыщения 0.2–0.3 В.
В эмиттерном повторителе установите резистор эмиттера 1–5 кОм. Входной сигнал подавайте на базу через разделительный конденсатор 1–10 мкФ. Коэффициент передачи близок к 1, выходное сопротивление – менее 100 Ом.
Для стабилизации рабочей точки в усилителях добавьте делитель напряжения на базе и резистор в цепи эмиттера. Температурный дрейф уменьшится в 5–10 раз при использовании схемы с отрицательной обратной связью.
