Если требуется замена в блоке питания или инверторе, этот биполярный прибор с NPN-структурой подойдет для работы при напряжениях до 700 В и токах до 8 А. Его максимальная рассеиваемая мощность достигает 40 Вт, что делает его пригодным для мощных преобразователей.
Коэффициент усиления по току (hFE) варьируется от 8 до 40, что важно учитывать при проектировании драйверов. Время переключения не превышает 0,5 мкс, что позволяет использовать его в высокочастотных схемах. Корпус TO-220 обеспечивает удобный монтаж на радиатор.
При выборе аналогов обратите внимание на VCEO и IC – ключевые показатели для совместимости. Для надежной работы в импульсных режимах рекомендуется не превышать 80% от предельных значений, указанных в технической документации.
В этой статье:
Ключевые данные и рекомендации по применению
Для работы с этим полупроводниковым прибором учитывайте его предельные значения:
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 400 В
- Ток коллектора (IC): 8 А
- Рассеиваемая мощность (Ptot): 40 Вт
Типовые показатели в схемах
При температуре 25°C:
- Коэффициент усиления (hFE): 8–40
- Время включения (ton): 500 нс
- Время выключения (toff): 1000 нс
Рекомендации по монтажу
- Используйте радиатор при токах выше 2 А.
- Избегайте превышения температуры перехода 150°C.
- Проверяйте цепь базы на отсутствие паразитных колебаний.
Для импульсных источников питания выбирайте аналоги с меньшим toff, если критична скорость переключения.
Основные электрические параметры
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) – 400 В. При превышении этого значения возможен пробой.
Токи и мощность
Предельный ток коллектора (IC) – 8 А в импульсном режиме, 4 А при постоянной нагрузке. Рассеиваемая мощность (Ptot) – 40 Вт при температуре корпуса до 25°C.
Коэффициенты усиления
Коэффициент передачи тока (hFE) варьируется от 8 до 40 в зависимости от тока коллектора. При IC = 2,5 А минимальное значение – 10.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) не превышает 1,2 В при IC = 4 А и IB = 0,8 А.
Частотная граница (fT) – 4 МГц, что ограничивает применение в высокочастотных схемах.
Как правильно подобрать аналог для 13007
1. Сравните ключевые показатели: ищите компоненты с близкими значениями напряжения коллектор-эмиттер (400-700 В), тока коллектора (8-12 А) и рассеиваемой мощности (40-80 Вт). Например, MJE13009 или KSE13009.
2. Проверьте структуру и тип корпуса: большинство замен работают в схемах TO-220 или TO-126. Если оригинал в TO-220, аналог должен быть в таком же исполнении.
3. Учитывайте частотные свойства: подходящие варианты имеют граничную частоту не ниже 4 МГц. У 2SC4242 или MJE13005 этот параметр соответствует.
4. Анализируйте коэффициент усиления: hFE у подходящих моделей – от 5 до 40. Например, у NTE130 и TIP3055 значения в этом диапазоне.
5. Проверьте термостабильность: рабочая температура должна быть не менее 150°C. BU508D или 2SC4706 выдерживают такие условия.
6. Используйте проверенные замены: в импульсных блоках питания часто применяют MJE13003 или KSC5027, если допустим меньший ток.
7. Тестируйте в реальной схеме: даже при схожих данных поведение может отличаться. Перед окончательным выбором проверьте нагрев и уровень шумов.
Ключевые рабочие показатели
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) – 400 В. При превышении этого значения возможен пробой.
Ток коллектора (IC) достигает 8 А в импульсе, но для длительной работы не должен превышать 4 А.
Рассеиваемая мощность (Ptot) – 40 Вт при температуре корпуса +25°C. При нагреве свыше +75°C требуется снижение нагрузки.
Коэффициент усиления (hFE) варьируется от 8 до 40 в зависимости от тока. Для стабильного усиления выбирайте режим с IC = 2–5 А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) – не более 1,2 В при IC = 5 А. Это критично для схем с низким КПД.
Частотная граница (fT) – 4 МГц. При проектировании ВЧ-устройств учитывайте падение коэффициента усиления выше 1 МГц.









